Электротехника, радиодетали, кабель и инструмент

Каталог

Пн - Чт с 9.00 до 17.30

Пт с 9.00 до 16.00

Сб - Вс - выходные

+375 29 332-78-78

+375 17 232-78-78

Пн - Чт с 9.00 до 17.30

Пт с 9.00 до 16.00

Сб - Вс - выходные

Электроника, радиодетали, кабель и инструмент

ГлавнаяКаталогТранзисторыIGBT (БТИЗ) транзисторыОдиночные IGBT транзисторыHGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST
Код товара: 201331

Производитель: ONS

Описание

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 35 А, 298 Вт

Технические параметры
Макс. напр. коллектор-эмиттер
1200 В
Макс. ток коллектора
35 А
Импульсный ток коллектора макс.
80 А
Напр. насыщения К-Э макс.
2.7 В
Макс. рассеиваемая мощность
298 Вт
Переключаемая энергия
320 мкДж
Заряд затвора
100 нКл
Время задержки вкл./выкл.
23 нс/165 нс
Документация

Нет

Похожие товары
Каталог
Закрыть
Акустика Беспроводное оборудование Готовые изделия Датчики Диоды Заказные позиции Измерительные приборы Индуктивные компоненты Источники питания Кабеленесущие системы Кабельно-проводниковая продукция Кварцы, осцилляторы, фильтры Конденсаторы Микросхемы Оптоэлектроника Освещение Паяльное оборудование Переключатели Промышленная автоматизация Разъемы, Соединители Резисторы Реле Средства разработки, конструкторы Транзисторы Устройства защиты Электромеханические компоненты Электрооборудование низкого напряжения Электротехника Degson Электротехнические изделия Электротехнические изделия AT Электротехнические изделия BIT Электротехнические изделия прочее